# Componentes para crecimiento de cristal

Calefactores, crisoles, escudos y soportes de grafito para crecimiento de cristal de silicio y SiC.

Family: Aplicaciones de semiconductores

## Description
El **lugar** es un puller Czochralski o un horno de crecimiento de SiC. La **aplicación** es el conjunto de piezas de grafito de la zona caliente: calefactores, crisoles o soportes, escudos y piezas de forma.

Estas piezas no son liners de tratamiento térmico ni dados de prensado en caliente. El criterio de selección es la pureza y la geometría térmica del equipo de crecimiento, no el temple de piezas metálicas.

ESGRAF maquina componentes a plano a partir de grafito isostático o extruido de alta pureza. Cuando el aislamiento de la cámara lo requiere, se evalúan también [fieltros de carbono](/materiales/fieltros-laminados-empaque-otros/fieltro-suave) y [paneles CFC](/materiales/fieltros-laminados-empaque-otros/paneles-cfc). Indique tipo de equipo, temperatura, atmósfera y plano para cotizar.

## Processes
- Crecimiento Czochralski de silicio
- Crecimiento de SiC por PVT
- Calentamiento y apantallado de zona caliente

## Challenges
- Contaminación del cristal por impurezas del grafito
- Falla del calefactor por geometría o atmósfera
- Pérdida de uniformidad térmica al reponer piezas

## Advantages
- Grados de alta pureza para vacío
- Maquinado de calefactores, escudos y soportes a plano
- Copia de geometría a partir de pieza usada

## Limitations
- Oxidación en aire a alta temperatura
- La resistividad del grado debe coincidir con el diseño eléctrico del calefactor
- Un grado de horno de tratamiento térmico no sustituye un grado de alta pureza sin revisión

- [Applications](https://esgraf.com/aplicaciones)
- [Alternate](https://esgraf.com/en/applications/semiconductor-crystal-growth)